國產半導體迎來飛速發展,7nm芯片已經開始風險試產

今天跟大家聊一聊:中科院信心十足,宣称国产的7nm时代即将到来。

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

在国内芯片企业的努力之下,目前在芯片设计以及封装测试领域,国内的产业链几乎可能满足任何的工艺需求了,差就差在芯片的制造工艺上,作为国内顶尖的芯片代工厂中芯国际,目前也仅能实现14nm工艺的量产,而华为海思却已经在设计3nm的芯片了。

国内芯片企业设计的芯片,依靠目前国内的工业水平制造不出来,这也成为了目前国内芯片领域的正式写照,而造成这种差距的原因,就在于制造芯片的核心设备“光刻机”上,目前也只有三星以及台积电,能够获取到ASML公司顶级EUV光刻机。

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

台积电逐步掌握优势

也正因为这样的差距,目前台积电也拥有了量产7nm以及5nm的顶级工艺,其占据的市场份额达到了54%,无论是苹果、华为还是高通等等企业,都要高度依赖于台积电的工艺,相比于三星的芯片制造工艺,台积电相对来说要成熟很多。

台积电所拥有的技术,可以称得上是行业内的标杆,不仅拥有着超高精度、在良品率上也是全球第一,而三星就输在了这些方面,直接导致了市场份额不足台积电的一半,毕竟芯片设计出来以后,如果能运用顶级的制程工艺制造出来,无论在性能还是功耗上,都将得到更好的释放。

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

台积电是全球芯片厂商的代工首选,之前高通就因为获取不到5nm的产能,就把骁龙888芯片代工交给了三星,最终虽然采用了ARM全新一代的架构,但是和采用台积电工艺的麒麟9000芯片对比之后,发现在性能上的提升并没有很明显,而这就是制程工艺技术方面的差距。

随着相关限制的不断深入,目前国内各大芯片企业,也已经开启了对于芯片全产业链技术的研发,全力加速实现芯片的自主化进程,截止目前各个环节的技术均实现了突破。

中芯国际的7nm工艺

中芯国际近两年可谓是一波三折,遭受了相关限制的困扰,导致了市场份额大幅度缩水,又面临着梁孟松的辞职风波,好在目前成功留下了这个“芯片人才”,并且已经恢复了成熟工艺的授权,而在这一系列的事件当中,中芯国际也透露出了很多的信息。

从梁孟松的辞职报告单中我们可以了解到,在2019年的时候就已经完成了对于14纳米制程工艺的量产,并且在良品率上已经比肩台积电了,目前中芯国际也已经完成了对于7nm芯片制程工艺的攻克,此前一度传出利用DUV光刻机风险试产7nm芯片的消息,但随后把重心放在成熟工艺之后,这样的计划也暂时被搁浅了。

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

很多人都以为中芯国际试产7nm芯片的计划失败了,以至于后续没有任何相关的消息,但根据梁孟松的辞职报告中我们可以得知,目前中芯国际已经掌握了对于7nm芯片量产的工艺,如果能够获取到EUV光刻机的话,就能够快速实现量产。

7nm芯片国产时代将到来

中科院的包云岗博士此前表示:“在今年4月份的时候,国内就已经实现了对于7nm芯片的试产,没有出现突发状况的话,最迟在明年年初就能够实现7nm芯片的量产。”

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

在有了中科院的发话之后,也给国产半导体行业的发展带来了更多的信心,也能够很好的说明国产的7nm芯片真的要来了,但同时我们也要意识到一个问题,即使中芯国际能够实现对于7nm芯片的量产,但其中也少不了使用美国的技术和设备,在经营过程中避免不了受到《进出口条例》的限制。

不过之前中国电子产业研究所温晓君所长,就曾表态:“中国将在今年实现28nm生产线的完全自主化,14nm的生产线也将在明年实现,而这些都是实现“去美化”技术的生产线,在为华为代工的过程中将不受限制。”

国产半导体迎来飞速发展,7nm芯片已经开始风险试产 

是否是这些领域内的专家过于乐观,目前我们也没有办法很好的去分析,但可以肯定的是国产化的技术,已经逐步取代美国的技术了,到2025年将会成为国产半导体发展的关键节点,此前国家制定的70%自给率,也是要求要在2025年之前完成,中国半导体产业的发展迎来了最为关键的五年。